芯片生产突破:高数值孔径极紫外光刻测试成功

芯片生产突破:高数值孔径极紫外光刻测试成功

作者
Luca Rossi
4 分钟阅读

imec与ASML利用高数值孔径极紫外光刻技术推动半导体技术进步

比利时研究公司imec与ASML成功测试了下一代芯片生产设备,采用高数值孔径(NA)极紫外光刻技术,在单次通过中打印出与当前商业标准一样小的电路。这项尖端技术使用更高数值孔径的光束,在半导体晶圆上创建更小、更复杂的电路结构,最终生产出更快、更强大、更节能的芯片。

这一成就意义重大,因为它证实了高数值孔径极紫外光刻技术的分辨能力,推动半导体技术进入“埃时代”,并促进芯片制造的进一步发展。英特尔已购买了首批两套高数值孔径系统,第三套计划今年交付给台积电。值得注意的是,三星电子、SK海力士和美光等其他行业巨头也订购了这些尖端设备。

这一技术突破对逻辑和存储技术的持续微型化至关重要,英特尔计划中的2纳米芯片被称为20A(1纳米=10埃)。此外,高数值孔径系统受到美国出口禁令的影响,包括对中国实施限制,这与芯片本身的限制相似。

关键要点

  • imec与ASML成功测试了用于更小芯片电路的下一代光刻机。
  • 高数值孔径极紫外光刻技术实现了更快、更强大、更节能的芯片生产。
  • 英特尔、台积电、三星、SK海力士和美光已订购高数值孔径系统。
  • 该技术为半导体制造的“埃时代”铺平了道路。
  • 高数值孔径工具受到美国出口禁令的限制,影响全球芯片生产。

分析

imec与ASML成功测试高数值孔径极紫外光刻机,加速了向更小、更高效芯片的转变,影响了行业中的关键参与者。这一进步对微型化至关重要,但面临美国出口禁令,特别是对中国影响较大。短期内,它增强了早期采用者的竞争力,长期内,它推动了半导体技术的创新,重塑了全球芯片制造格局。

你知道吗?

  • 高数值孔径极紫外光刻技术: 高数值孔径(NA)极紫外(EUV)光刻技术是一种先进的半导体制造技术,利用较短波长的光在硅晶圆上打印极小且复杂的电路图案。该技术通过实现更精细的分辨率和更复杂的电路设计,允许创建更小、更快、更节能的芯片。
  • 半导体制造的埃时代: “埃时代”标志着半导体制造的新阶段,其中芯片组件的尺寸以埃(Å)为单位测量,埃是长度单位,等于十亿分之一米(1Å=0.1纳米)。这一时代代表了半导体特征尺寸的显著减小,使得电子设备更加先进和紧凑。
  • 美国对高数值孔径系统的出口禁令: 美国对高数值孔径系统的出口禁令包括美国政府对某些国家,包括中国,出售和分销先进半导体制造设备(如高数值孔径极紫外光刻机)的限制。这些禁令是更广泛的贸易和技术政策的一部分,旨在限制目标国家的技术进步和军事能力。

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